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  • 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

    来源:www.fuzhou1998.cn 发布时间:2019-10-24
    SiC单晶是第三代半导体材料。它具有高穿刺带宽,高临界击穿场强,高电子迁移率和高导热性。它用于产生高温,高频和高功率。抗辐射,短波照明和光电集成设备的理想材料是下一代雷达,卫星通信,高压输变电,轨道交通,电动汽车和通信基站等重要领域的核心材料。具有重要的应用价值和广泛的应用价值。应用前景。

    6月5日,在中国电子科技集团公司第二研究所(以下简称“中国电子2”)的生产大楼内,有100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运转,并且存在SiC单晶。这100种设备正在“努力”发展。

    中国电子第二事业部一处处长李斌说:“我们自主研发生产了100 SiC单晶生长设备和粉末材料。我们为自己生产而感到自豪。”/p>SiC单晶是第三代半导体材料。它具有高穿刺带宽,高临界击穿场强,高电子迁移率和高导热性。用于产生高温,高频率,高功率。抗辐射,短波照明和光电集成设备的理想材料是新一代雷达,卫星通信,高压等重要领域的核心材料。传输和转换,轨道交通,电动汽车和通信基站。具有重要的应用价值和广泛的应用价值。应用前景。中国电子第二事业部第一事业部负责人李斌说:“高纯SiC粉是SiC单晶生长的关键原料。单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备。为了生产高质量的SiC单晶,对于高纯度SiC粉和单晶生长炉,需要设计,调试和优化生产工艺。“

    据介绍,单晶生长炉需要满足高温,高真空和高清洁度的要求。目前,其中只有两个可以生产单晶生长炉,而《中国电气科学》二期就是其中之一。他们突破了大口径SiC生长的温度场设计,可用于设计和制造150mm直径SiC单晶生长炉的高极限真空和低本底泄漏率生长炉;它们还突破了高纯度SiC粉末。杂质控制技术,粒度控制技术和晶形控制技术等关键技术已经实现了SiC粉的批量生产,其纯度超过99.9995%。

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